一：绝对最大额定值(任何情况下都不允许超过的最大值，超过此值可能会导致产品失效)

1. 额定电压

V_DS：GS短接，漏极D和源极S间所能施加的最大电压值

V_GS：DS短接，栅极G和源极S间所能施加的最大电压值

2. 额定电流

I_D：漏极允许通过的最大直流电流值，此值受导通阻抗，封装和内部连线等的制约

I_DM：漏极允许通过的最大脉冲电流值，此值受脉冲宽度和占空比等的制约

3. 额定功耗

P_D：芯片所能承受的最大功耗，测定条件有以下两种：

1) 管壳温度T_C=25℃，接散热板，使芯片结温达到T_Jmax时施加的功率大小；

2) 环境温度T_A=25℃，不接散热板，使芯片结温达到T_Jmax时施加的功率大小；

4. 额定温度

T_J：结温，芯片所能承受的最大温度，一般T_J≤150℃

Tstg：MOSFET器件本身的储存温度范围，一般最低为-55℃，最高为150℃

5.热阻

热阻：表示产品散热性能的好坏，热阻值越小，散热性能越好

R_θJA：芯片到环境间的热阻抗

R_θJC：芯片到封装管壳间的热阻抗

一般热阻值可通过额定功耗和温度计算得出：

R_θJA= ( T_J(MAX) - T_A ) / P_D

R_θJC= ( T_J(MAX) - T_C ) / P_D

6. 安全动作区SOA

SOA全称Safe Operating Area，主要由4个限制区构成，如下图所示：

A：导通阻抗限制

B：额定电流限制

C：额定功耗限制(单脉冲)

D：额定电压限制

7. MOSFET抗雪崩能力

1) 雪崩电流I_AS，I_AR

2) 雪崩能量E_AS，E_AR

E_AS：单次雪崩能量，一次性雪崩期间所能承受的能量，以T_J≤150℃为极限

E_AR：重复雪崩能量，所能承受以一定频率重复出现的雪崩能量，以T_J≤150℃为极限

单次雪崩

重复雪崩

MOSFET雪崩能力测试电路

怎样选择MOSFET的额定参数(推荐)：

电压：应高于实际最大电压的1.2倍

电流：应高于实际最大电流的1.2倍

功耗：应高于实际最大功耗的1.5倍

结温：实际使用不应超过125℃

二：电参数

1. 漏电流

I_DSS:V_GS=0V，在DS间加额定电压V_DS(一般为80%BV_DSS)，流过I_D的漏电流；

I_GSS:V_DS=0V，在GS间加额定电压V_GS(一般为100%V_GS)，流过I_G的漏电流；

2. 开启电压V_GS(th)

一般为V_DS=V_GS，I_D=250uA条件下的V_GS值；MOSFET的VGS(th)值具有负温度特性，即温度升高，V_GS(th)参数值会降低

3. 导通阻抗 R_DS(on)

MOSFET处于导通状态时的阻抗，导通阻抗越大，开启状态时的损耗就越大，所以MOS管的选取，导通阻抗越小越好；MOSFET的R_DS(on)值具有正温度特性，即温度升高，R_DS(on)参数值会增大

导通阻抗R_DS(on)一般在指定V_GS和I_D值的条件下测量得到，常温条件下，相同V_GS值，I_D越大，R_DS(on)值也会越大；相同I_D值，V_GS越大，R_DS(on)值会越小

4. 正向传导系数g_FS

定义：漏极电流I_D变化量与V_GS值变化量的比值 ，单位为S(西门子)，类似于双极型晶体管的H_FE

5. 内部电容量

MOSFET容量值越小，Q_G越小，开关速度越快，开关损耗越小

6. 电荷量

Q_G：栅极总电荷量

Q_GS：栅源极间的电荷量

Q_GD：栅漏极间的电荷量

MOSFET电荷的容量越大，所需开关时间越长，开关损失越大

、

7. 开关时间

td(on)：开启延迟时间  

td(off)：关断延迟时间

tr：上升时间  

tf：下降时间

8. 体二极管

MOS管衬底和漏极之间存在PN结所形成的二极管，通常衬底和源极短接故等效为源极和漏极之间的二极管，该二极管与沟道并联。测量体二极管参数时必须使沟道处于关闭状态。